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충북대 오세영 학생, 일본 학술대회 우수 포스터상 수상
이재기 기자  |  news3090@hanmail.net
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승인 2019.06.12  19:33:56
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▲ 오세영 학생.(사진제공=충북대학교)

(청주=국제뉴스) 이재기 기자 = 충북대학교(총장 김수갑)에 따르면 공과대학 신소재공학과 오세영(4학년, 지도교수 조병진) 학생이 일본 아와지 유메부타이 국제 컨퍼런스 센터(Awaji Yumebutai International Conference Center)에서 개최된 ‘3rd International Symposium on Anodizing Science and Technology 2019(제3회 양극산화 과학 및 기술 국제 학술대회 2019)’ 에서 ‘우수 포스터상(Best Poster Award)’을 수상했다고 밝혔다.

오세영 학생은 ‘Low-powered Switching Characteristics of SWCNTs Transistor Integrated with Al-ZrHfO2 Dielectric for Nonvolatile Memory(알루미늄 도핑된 지르코늄 하프늄 산화물 유전체와 단일벽 탄소나노튜브 채널로 집적화된 트랜지스터의 저전력 비휘발성 메모리 특성 연구)’를 주제로 발표해 상을 받았다.

이 연구는 1차원 나노소재인 단일벽 탄소나노튜브 반도체와 지르코늄-하프늄 2원계 물질에 알루미늄 도펀트를 첨가한 고 유전상수 소재로 집적화한 전계효과 트랜지스터는 기존 실리콘 산화물 유전체 소자 대비 구동전압이 약 10배정도 감소하였으며 우수한 메모리 스위칭 특성을 확인했다.

이런 스위칭 특성은 유전체 물질 내부에 존재하는 산소 공공에 전하가 포획되기 때문이다. 개발된 나노전자소자는 저전력 비 휘발성 메모리로 응용이 가능하며 향후 저항 변화 특성을 정밀하게 제어하면 뉴로모픽 소자로도 응용이 가능할 것으로 기대된다.

이번 학술대회 포스터에 관련된 논문은 오세영 학생이 주 저자로 개재됐으며, ‘Low Power Switching Characteristics of CNT Field Effect Transistor Device with Al-Doped ZrHfO2 Gate Dielectric(알루미늄 도핑된 지르코늄-하프늄 산화물 게이트 유전체를 적용한 카본나노튜브 전계효과 트랜지스터의 저 전력 스위칭 특성.)’이란 제목으로 ‘Journal of Nanomaterials(나노재료학술지)’에 지난 2018년 10월 8일자로 출판됐다.

한편, Anodizing Research Society(ARS)가 개최한 이번 학술대회는 전 세계 19개 국가에서 약 100편이상의 초록이 접수됐다.

이재기 기자 | 2019-06-12 19:33:56
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